SK hynix представила первые в мире стеки памяти HBM3E ёмкостью 48 Гбайт из 16 кристаллов — это новый рекорд для архитектуры 16-Hi. На SK AI Summit 2024 в Сеуле генеральный директор компании Квак Но Чун (Kwak Noh-Jung) объявил о стратегии SK hynix, направленной на превращение компании в поставщика полного ассортимента решений на базе памяти DRAM и NAND для ИИ.
Источник изображений: SK hynix
Квак Но-Чжун отметил, что роль памяти за последние десятилетия претерпела значительные изменения: от хранения данных на персональных компьютерах (ПК) и смартфонах до поддержки функционирования облачных сервисов и социальных сетей. В будущем, с развитием ИИ, память будет играть ещё более важную роль, способствуя созданию новых форм взаимодействия и творчества для пользователей. Концепция «Креативной памяти», разработанная SK hynix, строится на применении полупроводников нового поколения, обеспечивающих мощные вычислительные возможности, необходимые для выполнения сложных задач.
SK hynix активно стремится к инновациям, создавая уникальные решения, не имеющие аналогов. В качестве основы выбраны продукты категории Beyond Best, отличающиеся высокой конкурентоспособностью и оптимальными инновациями, ориентированными на потребности ИИ-систем. В начале следующего года компания планирует представить тестовые образцы памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, подчёркивая свою готовность к внедрению передовых достижений в области памяти для ИИ.
HBM3E с архитектурой 16-Hi обеспечивает повышение производительности до 18 % в процессах обучения ИИ-моделей и до 32 % — при обработке данных по сравнению с решениями на основе 12-Hi, заявляет SK hynix. С ростом спроса на ИИ-ускорители для обработки данных это решение поможет SK hynix упрочить своё положение на рынке памяти для ИИ. Для массового производства 16-слойной HBM3E будет использована усовершенствованная технология Advanced MR-MUF, ранее успешно применявшаяся для 12-Hi решений.
Кроме HBM3E, SK hynix разрабатывает решения для других секторов, включая модули LPCAMM2 для ПК и дата-центров, а также энергоэффективную память LPDDR5 и LPDDR6, выполненную по техпроцессу 1c.
Компания также планирует интегрировать логику в базовый кристалл в памяти HBM4, что станет возможным благодаря партнёрству с одним из ведущих производителей логических полупроводников. Это позволит SK hynix разрабатывать кастомизированные HBM-решения, адаптированные к специфическим запросам клиентов по объёму, пропускной способности и функциональным характеристикам.
Память HBM3E обеспечивает скорость передачи данных на контакт 9,2 Гбит/с, что даёт пропускную способность выше 1,2 Тбайт/с
В ответ на растущие потребности ИИ-систем в увеличении объёма памяти SK hynix разрабатывает решения на основе CXL-сетей, которые обеспечат интеграцию различных типов памяти в массивы высокой ёмкости. Параллельно компания разрабатывает eSSD с ультравысокой ёмкостью, что позволит эффективно хранить большие объёмы данных на ограниченном пространстве и с оптимальным энергопотреблением.
Стремясь преодолеть так называемый «барьер памяти», SK hynix разрабатывает технологии с встроенными вычислительными возможностями. Такие решения, как Processing near Memory (PNM), Processing in Memory (PIM) и Computational Storage, позволят обрабатывать колоссальные объёмы данных, минимизируя задержки и увеличивая пропускную способность. Эти инновации откроют новые перспективы для ИИ-систем нового поколения, позволяя выполнять ресурсоёмкие задачи с минимальными задержками.
